filgen锇等离子体镀膜机的导电超薄膜形成机理

发布日期：2024-12-25      浏览次数：265

filgen锇等离子体镀膜机的导电超薄膜形成机理

这是一种主要用于SEM样品的导电性薄膜的制造装置，采用“利用直流辉光放电的负辉光相区域的等离子膜制造方法”。

导电超薄膜形成机理

标准型可选配导电超薄膜形成机构。 此外，它可以作为选项安装在您已经使用的设备（兼容型号）上。 仅低电流法、仅混合气体法、低电流法+混合气体法均可作为选项安装。 导电超薄膜机构（混合气体法）和亲水处理机构不能同时安装。 此外，主机的外部尺寸和重量将根据安装的选件而变化。 此外，关于这种导电超薄膜机制，我们已经获得了使用锇等离子体镀膜机的成膜方法的。 名称：导电超薄膜机构（低电流法） 号：第5419723号 发明名称：导电薄膜的等离子体沉积方法

[抑制影响超薄膜厚度再现性的浪涌电流的影响] 放电开始时，会产生超过稳定电流的大量浪涌电流。这种浪涌电流的发生很难预测，而最大限度地避免这些影响是提高3.0 nm以下超薄膜厚度再现性的关键。
Philgen的导电超薄膜沉积机制 从没有电流流动的真空状态施加放电电压，逐渐增加OsO4气体的量，并在监控放电电流的同时控制放电时间，以减少浪涌电流的影响，从而实现了最小化。超薄膜的膜厚再现性高。 （标准型与导电性超薄膜形成机理的比较） - 标准型 导电超薄膜形成机理 最小膜厚设定值 1纳米 0.1纳米 按下启动开关后的流程 OsO4气体介绍 从没有放电电流流过的真空状态施加电压 气体导入量控制 逐渐增加OsO4气体的量 放电开始 放电电流根据气体量逐渐增加。 出院结束 出院结束


“低电流法+混合气体法”与“低电流法”安装方式比较

 

OPC80T-LM （低电流法+混合气体法） OPC80T-L （低电流法） 该类型在传统锇等离子体镀膜机（OPC80T）的基础上增加了低电流法/混合气体法 。 可以以良好的再现性形成约0.5至3nm的超薄锇膜。 您也可以使用标准类型的膜。 点击此处查看 超薄锇膜-等离子体聚合膜的截面TEM图像 该类型在传统锇等离子体镀膜机 (OPC80T) 的基础上增加了低电流方法 。 可以以良好的再现性形成约0.5至3nm的超薄锇膜。 您也可以使用标准类型的膜。 点击此处查看 超薄锇膜-等离子体聚合膜的截面TEM图像



低电流法和混合气体法

 

●低电流法 该方法从OsO4气体浓度低至足以防止辉光放电开始的高真空状态施加电压，并以低放电电流形成膜。这通过防止在放电初始阶段流过大电流来提高再现性。 ●混合气体法 通过在OsO 4 气体中混入惰性气体，OsO 4 气体浓度降低，成膜速度降低，控制变得容易。由于可以仅使用惰性气体进行放电，因此可以扩展到蚀刻等。